300mm CMOS互換QSOI(R)プラットフォームで量子ドットアレイの均一性を大幅改善
要約
28nm FD-SOIを量子ビット向けに作り替えたQSOI(R)を、300mmのCMOS製造ラインで試作した報告。素子ごとのばらつきが大きく減り、2K以下で377個の量子ドットを測ると、最初の1個の電子が入る電圧のばらつきは±35mVに収まった。電荷の検出に成功した割合は69%で、既存の製造設備を使った大規模化の道筋を示す。
